Энергетические спектры и неравновесные состояния в твердых растворах на основе теллурида свинца

На главную | Контакты | Карта сайта

| Система Грант-Экспресс

| Новости РФФИ
| Объявления
| Подписка на новости

| Общие сведения о РФФИ
| Кто есть кто в РФФИ
| Состав совета Фонда
| Адрес и телефон для справок

| Устав РФФИ
| Указы Президента
| Постановления и распоряжения Правительства

| Нормативные документы

| Решения совета Фонда

| Конкурсы РФФИ
| Региональные конкурсы
| Международные конкурсы
| Программы РФФИ
| Финансовое обеспечение проектов

| Вестник РФФИ
| Газета Поиск
| Публикации в СМИ
| Книги, изданные при поддержке РФФИ
| Информационный бюллетень РФФИ
| Издания РФФИ

| Использование результатов
| Контроль использования финансовых средств

| Международная деятельность
| Научные фонды
| Ведомства и академии
| Библиотеки и информационные центры
| Полезные ссылки

| Издательство Wiley
| Издательство «The American Mathematical Society»
| Издательство Elsevier
| Американское физическое общество (APS)
| Издательство IOP Publishing Limited
| Издательство The Royal Society of Chemistry
| Издательство Springer

| Введение
| 2009 год
| 2010 год
| 2011 год

| WIN-1251
| KOI8-R
| English

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ И НЕРАВНОВЕСНЫЕ СОСТОЯНИЯ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА

1. Общий анализ проблематики исследований по заданному направлению

2. Совокупность исследований МСХС, проведенных при поддержке РФФИ Стабилизация положения уровня Ферми

Долговременные релаксационные процессы

Кинетика фотопроводимости

Явления в сильных электрических полях

Оптическое поглощение

Спектры фотопроводимости

Магнитные свойства

Термостимулированные токи

Электротермические неустойчивости

Диодные структуры

Теоретические модели

Прикладные аспекты

Заключительные замечания

3. Проблематика проектов РФФИ

Литература

ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ТОКИ

Термостимулированные токи (ТСТ) обычно наблюдаются в полупроводниках, содержащих примесные уровни внутри запрещенной зоны. Стандартная методика термоактивационной токовой спектроскопии была использована при исследовании ТСТ в монокристаллах Pb1-xMnxTe(In) и PbTe(Ga), а также в эпитаксиальных пленках Pb1-x-ySnxGeyTe(In) в температурном диапазоне (4.2-30) K [106,107]. Наиболее отчетливая картина ТСТ пиков наблюдалась в пленках Pb1-x-ySnxGeyTe(In) с энергией активации примесной проводимости Ea менее 50 мэВ (рис.20). Для кристаллов Pb1-xMnxTe(In) пики ТСТ наблюдались только в образцах с x ~ 0.07-0.08 (Ea ~ 40 мэВ). Следует отметить, что именно в сплавах указанного состава метастабильный примесный уровень оказывается смещенным в запрещенную зону [95].

Рис.20. Образец записи термостимулированных токов в пленках Pb1-x-ySnxGeyTe(In) (см. текст).

Особенностью исследованных материалов является то, что ТСТ пики наблюдаются при температуре Tm, изменяющейся в пределах 5-14 К, т.е. в области существенно более низких температур по сравнению с классическими и широкозонными полупроводниками. Для PbTe(Ga) структура ТСТ пиков оказалась более сложной: набор пиков разной амплитуды наблюдался в области температур ниже TС (80 K).

В работах [106,107] появление ТСТ пиков объяснено термическим возбуждением носителей с метастабильного примесного уровня в зону проводимости. Тем не менее, явная корреляция между значением Tm и величиной энергии активации Ea не установлена. Это обусловлено как сложностями, возникающими при постановке эксперимента, так и причинами фундаментального характера. Экспериментальный фактор связан с наличием многих параметров, влияющих на положение пика, но трудно поддающихся точному контролю. Кроме этого, процесс генерации и рекомбинации неравновесных носителей заряда сопровождается перераспределением зарядовых состояний примесных центров. Таким образом, концентрация центров захвата изменяется в процессе эксперимента и зависит от порядка его проведения. Это значит, что изменяя интенсивность подсветки и температуру разными способами, можно получить состояния образца с одинаковой проводимостью, но отвечающие неэквивалентным соотношениям между метастабильными и основными примесными центрами. Косвенным подтверждением этого предположения можно считать экспериментально обнаруженные электрические неустойчивости фотоотклика.

Пример таких неустойчивостей получен в пленке Pb1-x-ySnxGeyTe(In). Первоначально пленка подсвечивалась тепловым источником излучения слабой интенсивности при температуре T=4.2 K. В некоторой промежуточной стадии релаксации после выключения подсветки, подсветка той же интенсивности снова включалась. Но в этом случае пленка оказывается полностью нечувствительной к освещению. Последующий нагрев до * 6 К приводил к быстрому появлению фототока.

Copyright © 1997-2007 РФФИ | Дизайн и программирование: Intra-Center