Энергетические спектры и неравновесные состояния в твердых растворах на основе теллурида свинца

На главную | Контакты | Карта сайта

| Система Грант-Экспресс

| Новости РФФИ
| Объявления
| Подписка на новости

| Общие сведения о РФФИ
| Кто есть кто в РФФИ
| Состав совета Фонда
| Адрес и телефон для справок

| Устав РФФИ
| Указы Президента
| Постановления и распоряжения Правительства

| Нормативные документы

| Решения совета Фонда

| Конкурсы РФФИ
| Региональные конкурсы
| Международные конкурсы
| Программы РФФИ
| Финансовое обеспечение проектов

| Вестник РФФИ
| Газета Поиск
| Публикации в СМИ
| Книги, изданные при поддержке РФФИ
| Информационный бюллетень РФФИ
| Издания РФФИ

| Использование результатов
| Контроль использования финансовых средств

| Международная деятельность
| Научные фонды
| Ведомства и академии
| Библиотеки и информационные центры
| Полезные ссылки

| Издательство Wiley
| Издательство «The American Mathematical Society»
| Издательство Elsevier
| Американское физическое общество (APS)
| Издательство IOP Publishing Limited
| Издательство The Royal Society of Chemistry
| Издательство Springer

| Введение
| 2009 год
| 2010 год
| 2011 год

| WIN-1251
| KOI8-R
| English

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ И НЕРАВНОВЕСНЫЕ СОСТОЯНИЯ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА

1. Общий анализ проблематики исследований по заданному направлению

2. Совокупность исследований МСХС, проведенных при поддержке РФФИ Стабилизация положения уровня Ферми

Долговременные релаксационные процессы

Кинетика фотопроводимости

Явления в сильных электрических полях

Оптическое поглощение

Спектры фотопроводимости

Магнитные свойства

Термостимулированные токи

Электротермические неустойчивости

Диодные структуры

Теоретические модели

Прикладные аспекты

Заключительные замечания

3. Проблематика проектов РФФИ

Литература

ЯВЛЕНИЯ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ

Статические и импульсные вольтамперные характеристики в сильных электрических полях для монокристаллических образцов и пленок МСХС в условиях контролируемой подсветки являлись важным методическим атрибутом исследований в данном цикле работ. Возмущение электронной системы электрическим полем является более сильным, чем при воздействии магнитного поля или ИК– подсветки. Эффекты переключения, возникновение неравновесных состояний, доменов электрического поля и шнуров тока, джоулев пробой и электротермические неустойчивости ВАХ N– и S-типа являются хорошей иллюстрацией эффектов самоорганизации в полупроводниках. Здесь мы можем привести лишь наиболее значимые особенности на конкретных примерах.

Статические ВАХ в диэлектрическом состоянии МСХС в полях, не превышающих поле джоулевого пробоя, являются нелинейными и в первом приближении описываются законом I ∞ U2. При записи зависимости I(U) в режиме заданного напряжения, изменяющегося со скоростью dU/dt в пределах от 2 до 30 В/мин, при 4.2К на ВАХ обнаруживается гистерезис, связанный с тем, что при U = const величина тока через образец устанавливается медленно – в течение минут. В зависимости от температуры и условий подсветки существует два типа гистерезисов, обусловленных или медленным уменьшением или возрастанием тока во времени при заданном напряжении. Задержка в установлении тока через систему образец – металлические контакты приводит к появлению эффективной реактивной составляющей проводимости на переменном токе.

В диэлектрическом состоянии МСХС статические ВАХ в больших полях при низких температурах (Т < ТС) имеют S-образный участок, появление которого [71,72] связывается с электротермическим (джоулевым) пробоем. В условиях ИК-подсветки в слабых полях наблюдается появление дополнительного N-образного участка. Этот участок обусловлен термическим гашением задержанной ФП.

При исследовании импульсных ВАХ в металлическом состоянии сплавов Pb1-xSnxTe(In) [73] обнаружены эффекты переключения из низкоомного в высокоомное состояние, сопровождающиеся доменной электрической неустойчивостью. Импульсные ВАХ таких сплавов являются N-образными при вводе поля и суперлинейными при выводе в области Т < ТС. Эффект переключения можно наблюдать и под действием одиночных коротких (~ 1 мкс) импульсов поля с низкой амплитудой (Е ~ 10 В/см) Эффект переключения происходит не по всему объему образца и является локальным в приконтактной области (порядка 0.1 мм). Образующийся статический домен сохраняется при выводе поля и медленно «рассасывается» во времени при низких температурах.

ВАХ полуизолирующих образцов PbTe(Ga) были изучены при температурах от 4.2 до 170 К в импульсных полях до 3000 В/см, длительность импульса варьировалась от 0.03 до 40 мкс [74]. Линейный участок удалось наблюдать только при Т > 70 K в очень слабых полях E < 1 В/см. В полях от 100 до 400 В/см вид ВАХ соответствовал механизму Пула-Френкеля, ln(I) ~ E1/*, где параметр g ~ 1.9-2. В полях от ~ 300 до 1000 В/см наблюдается электронный пробой с возможным образованием шнура тока, в противоположность к ситуации для сплавов с индием. При пробое проводимость возрастает от 107 до 108 раз при Т = 4.2 К. Время жизни неравновесных носителей, появляющихся вследствие пробоя, превышает 105 с при температуре жидкого гелия и уменьшается до 10-2 с при Т = 77 К.

Как показывают результаты проведенных исследований, формирование ВАХ в МСХС при различных температурах связано с несколькими механизмами, включающими инжекцию электронов и дырок с контактов, захват носителей заряда на глубокие уровни и метастабильные состояния, а также выброс с них, ограничение токов возникающими объемными зарядами, тепловыми эффектами. Естественно, эти механизмы модифицируются при высокой задержанной ФП.

Copyright © 1997-2007 РФФИ | Дизайн и программирование: Intra-Center